性能是NAND五百倍，不怕断电的高性能内存出现
栏目：iT资讯 来源：网络 关注：0 时间：2012-12-26
近10年来科学家一直在尝试寻找全新的可替代内存芯片，并且假设新的内存芯片能够从硬盘转换而来，且具备非易失性、低延迟以及低成本的特点。
虽然目前的NAND闪存已是高速、非易失性内存的代表。但如果从内存标准的变革历程来看，不难发现发现NAND快闪记忆体离完美还有相当长的一段距离。在功率不足的情况下，NAND闪存的读写周期和数据持续时间都会因为处理收缩而呈下行趋势。到目前为止，关于非易失性、低延迟以及低成本内存芯片的内存芯片项目还没有完全意义上的解决方案出炉，不过相关的研发工作却慢慢的出现了转机。日前，美国科技企业Everspin正式发布一套磁性随机存储器解决方案，并且推出了全球首款兼容DDR 3的64MB转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）。
据悉，这款全新的芯片可以在1600MHz的情况下传输数据，并且具备比闪存芯片延迟更低的特点。另外，其性能也500倍于传统的NAND存储芯片。
Everspins透露称，这块芯片采用了单磁性隧道结和一个晶体管。当电流通过时，自旋极化电子会透过阻挡介质，穿过磁性隧道。这样做意味着电子角动量将转移到磁层，并将极化现象颠倒，然后通过测量阻力来读出电子的状态。
MRAM旋转扭矩技术优势在于当写入指令发出之后，内存不必进行刷新操作，即便是断电的情况下，数据将会驻留在MRAM当中。与此同时在操作系统重新激活时，也不需要单独分配能量以保存数据。这种类型的存储芯片在移动端的优势极其明显。
MRAM芯片降低了能耗，能够有效的延长设备的续航时间。同时，MRAM芯片未来也将密集的被运用到高性能计算机和超级计算机产品上。不过，从目前的发展程度来看，转矩磁阻随机存取存储器大规模投产还要等待相当长一段时间。Everspin的64MB全新ST-MRAM存储器虽然令人印象深刻，但是价格却是目前8 GB DDR 3内存的1000倍以上。
虽然ST-MRAM虽然在未来能够替代于基于NAND芯片的固态硬盘，但是考虑到ST-MRAM目前的不足之处和昂贵的制造成本，Everspin也表示暂时并不会将这个技术用于取代固态硬盘，而是作为固态硬盘的一个补充。此外，ST-MRAM的超强性能也建立在高功耗的基础之上。1GB MRAM的功耗为400mW，而64GB的NAND却只需要80mW的电能。这也是限制MRAM芯片快速商业化的一个原因。
虽然目前的NAND闪存已是高速、非易失性内存的代表。但如果从内存标准的变革历程来看，不难发现发现NAND快闪记忆体离完美还有相当长的一段距离。在功率不足的情况下，NAND闪存的读写周期和数据持续时间都会因为处理收缩而呈下行趋势。到目前为止，关于非易失性、低延迟以及低成本内存芯片的内存芯片项目还没有完全意义上的解决方案出炉，不过相关的研发工作却慢慢的出现了转机。日前，美国科技企业Everspin正式发布一套磁性随机存储器解决方案，并且推出了全球首款兼容DDR 3的64MB转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）。
据悉，这款全新的芯片可以在1600MHz的情况下传输数据，并且具备比闪存芯片延迟更低的特点。另外，其性能也500倍于传统的NAND存储芯片。
Everspins透露称，这块芯片采用了单磁性隧道结和一个晶体管。当电流通过时，自旋极化电子会透过阻挡介质，穿过磁性隧道。这样做意味着电子角动量将转移到磁层，并将极化现象颠倒，然后通过测量阻力来读出电子的状态。
MRAM旋转扭矩技术优势在于当写入指令发出之后，内存不必进行刷新操作，即便是断电的情况下，数据将会驻留在MRAM当中。与此同时在操作系统重新激活时，也不需要单独分配能量以保存数据。这种类型的存储芯片在移动端的优势极其明显。
MRAM芯片降低了能耗，能够有效的延长设备的续航时间。同时，MRAM芯片未来也将密集的被运用到高性能计算机和超级计算机产品上。不过，从目前的发展程度来看，转矩磁阻随机存取存储器大规模投产还要等待相当长一段时间。Everspin的64MB全新ST-MRAM存储器虽然令人印象深刻，但是价格却是目前8 GB DDR 3内存的1000倍以上。
虽然ST-MRAM虽然在未来能够替代于基于NAND芯片的固态硬盘，但是考虑到ST-MRAM目前的不足之处和昂贵的制造成本，Everspin也表示暂时并不会将这个技术用于取代固态硬盘，而是作为固态硬盘的一个补充。此外，ST-MRAM的超强性能也建立在高功耗的基础之上。1GB MRAM的功耗为400mW，而64GB的NAND却只需要80mW的电能。这也是限制MRAM芯片快速商业化的一个原因。
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