镁光发布128GBit的TLC(Triple Level Cell)NAND闪存芯片

据国外媒体报道，近日，镁光（Micron）公司发布了新型芯片产品：容量为128GBit的TLC(Triple Level Cell)NAND闪存芯片。
规格方面，镁光的128Gbit(16GB)新闪存芯片采用20nm制程，其面积仅有146平方毫米，较同类MLC(Multi Level Cell)闪存芯片，面积减少了25%以上。
镁光公司表示，该新芯片主要面向储存类产品，预计该芯片将有助于闪存卡，U盘等产品的大容量化。
镁光公司表示，该公司已经开始向其客户提供样本，该芯片的量产则预定于2013年第二季度。

本文标题：镁光发布128GBit的TLC(Triple Level Cell)NAND闪存芯片
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