美国与日本多家芯片厂商联手研发MRAM存储技术
栏目：iT资讯 来源：网络 关注：0 时间：2013-11-25
今日消息，据CNET报道，美国和日本的20多家芯片厂商共同宣布，将组成研发联盟，共同研制下一代“磁随机存取存储器”（MRAM）存储技术。
据悉，随着MRAM存储技术的推广及应用，DRAM时代或将宣告终结。报道称，包括东京电子、信越化学工业、瑞萨电子、日立等日本公司，以及美国芯片巨头美光科技在内的20多家芯片厂商，将在2014年2月份正式启动这一研发项目。这些公司将派出数十名研究人员入驻日本东北大学，项目将由Tetsuo Endoh教授负责。
与传统的DRAM存储技术相比，MRAM的耗电量仅为前者的三分之一，而读写速度却能达到DRAM的10倍。理论上，MRAM技术更加适合下一代智能手机和平板电脑。
不过，这种技术或许要到2018年才能被大规模应用，并且其在商业产品上的实用性也有待考察。
据悉，随着MRAM存储技术的推广及应用，DRAM时代或将宣告终结。报道称，包括东京电子、信越化学工业、瑞萨电子、日立等日本公司，以及美国芯片巨头美光科技在内的20多家芯片厂商，将在2014年2月份正式启动这一研发项目。这些公司将派出数十名研究人员入驻日本东北大学，项目将由Tetsuo Endoh教授负责。
与传统的DRAM存储技术相比，MRAM的耗电量仅为前者的三分之一，而读写速度却能达到DRAM的10倍。理论上，MRAM技术更加适合下一代智能手机和平板电脑。
不过，这种技术或许要到2018年才能被大规模应用，并且其在商业产品上的实用性也有待考察。
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